半导体 - 赛默飞

功率半导体

采用热辐射的方式对样品的短路以及漏电位置进行定位，无需对样品进行破坏性处理，最高可施加10KV的测试电压，搭配高灵敏度的InSb相机，可对功率器件的失效进行精确地定位。
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芯片设计

对样品的短路以及漏电位置进行定位，搭配高倍率的SIL镜头，可以定位到百纳米级别的精度。同时也支持动态测试，可以对Soft Failure进行准确地失效定位。
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显示技术

采用热辐射的方式对样品的短路以及漏电位置进行定位，无需对样品进行破坏性处理，搭配高灵敏度的InSb相机，可对显示屏/模组/驱动电路等各个部分的失效进行精确地定位。
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逻辑 & 存储

对样品的短路以及漏电位置进行定位，搭配高倍率的SIL镜头，可以定位到百纳米级别的精度。同时也支持动态测试，可以对Soft Failure进行准确地失效定位。
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先进封装

采用热辐射的方式对样品的短路以及漏电位置进行定位，无需对样品进行破坏性处理，搭配高灵敏度的InSb相机，可对多种阻抗的失效进行精确地平面和深度定位。
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